根据重庆市科学技术奖励工作办公室《关于2023年度重庆市科学技术奖提名工作的通知》精神，重庆市梁平区科学技术局拟提名1个项目申报2023年度重庆市科学技术奖。现根据相关要求，将提名情况予以公示，公示期7天（2024年2月19日至2024年2月25日）。

任何个人或单位对公示项目、项目完成人、完成单位等持有异议的，请于2024年2月25日前向重庆市梁平区科学技术局提出。提出异议者，必须采取书面形式，写明提出异议的事实依据、个人真实姓名、工作单位、地址邮编和联系方式等。凡匿名异议和超出期限的异议，不予受理。

联系人：杨永忠 朱铜印 联系电话：023-53222131

地  址：重庆市梁平区高新大道350号高新区大楼508室

邮政编码：405200

附件：拟提名项目

重庆市梁平区科学技术局

2024年2月18日

附件

拟提名项目

一、项目名称：新一代车规级功率器件国产化成套关键技术及产业化

二、提名单位：重庆市梁平区科学技术局

三、提名奖项：重庆市科技进步奖

四、提名等级：一等奖

五、完成单位：重庆平伟实业股份有限公司、重庆理工大学、华中科技大学、芯联集成电路制造股份有限公司、重庆大学、厦门芯一代集成电路有限公司、重庆机电职业技术大学、重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司

六、主要完成人：李述洲、甘贵生、徐向涛、夏大权、杨栋华、杨林森、陈文锁、张成方、姜贯军、吴懿平、陈利、刘歆、陈云乔、王航

七、项目简介：

针对车规功率器件（非模块）自主设计制造能力弱、自给率低的难题，设计并量产新一代车规级功率器件，实现了车规级功率器件的自主可控制造和批量交付。主要创新点包括：

(1)发明了高雪崩耐量和高开关速度的SGT-MOS器件新结构，消除了动态雪崩薄弱点，实现了器件低导通电阻、高击穿电压和低栅漏米勒电荷。

(2)创新的采用栅极与屏蔽电极可靠性工艺技术和终端区到有源区的过渡区工艺技术，增大了关键参数的工艺容差，晶圆级测试良率得到大幅提升。

(3)发明了贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，创新了铜CLIP一体冲压制造工艺，协同调控了铜CLIP真空焊接工艺，实现了车规级器件封装的智能制造。

(4)研制了新型高温无铅IMC焊料和系列水基清洗剂，满足了芯片低温焊接、高温服役的性能要求和复杂环境下高效清洗及清洁化生产。

八、主要知识产权（标准规范）目录（前10）：

1.发明专利，一种具有强分散能力的水基清洗剂及其清洗方法，ZL202010055512.3

2.发明专利，一种具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，ZL2019109298131

3.发明专利，电烙铁加热式快速热疲劳实验装置及实验方法，ZL201910063611.3

4.发明专利，二极管送料、打扁、切筋整形一体机，ZL201710626742.9

5.发明专利，功率半导体器件及其制造方法，ZL201811544082.0

6.发明专利，贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，ZL202110250762.7

7.实用新型，贴片式光伏旁路模块的封装框架，ZL202120489429.7

8.发明专利，一种高频快恢复二极管及其制造方法，ZL201711465726.2

9.发明专利，一种屏蔽栅场效应晶体管及其形成方法，ZL202110150812.4

10.发明专利，具有屏蔽栅沟槽的半导体器件的制造方法，ZL202011367003.0