按照重庆市科学技术局《关于2025年度重庆市科学技术奖提名工作的通知》要求,重庆市梁平区人民政府拟提名1个项目(项目名称:高可靠汽车功率器件先进封装关键技术及产业化)申报2025年度重庆市科学技术奖。现将提名情况予以公示,公示期5天(2026年2月14日至2026年2月18日)。
任何个人或单位对公示项目、项目完成人、完成单位等持有异议的,应当在公示期内实名书面提出,并提供必要的证明材料和有效联系方式。个人提出异议的,应当在书面异议材料上签署真实姓名;以单位名义提出异议的,应加盖本单位公章,凡匿名异议和超出期限的异议,不予受理。
联系人:曹文蒋 联系电话:023-53222131
地 址:重庆市梁平区高新大道350号高新大楼508室
邮政编码:405200
附件:关于提名重庆平伟实业股份有限公司重庆市科学技术奖公示材料
重庆市梁平区人民政府
2026年2月14日
附件
关于提名重庆平伟实业股份有限公司
重庆市科学技术奖公示材料
一、项目名称
高可靠汽车功率器件先进封装关键技术及产业化
二、提名奖种、提名等级
提名奖种:重庆市科技进步奖
提名等级:二等奖
三、提名单位
重庆市梁平区人民政府
四、项目简介
新一代信息技术、新能源汽车和新材料等战略性新兴产业是国家重点发展方向,而智能网联新能源汽车、新一代电子信息制造业和先进材料作为重庆市“33618”战略规划的3大万亿级主导产业集群。针对行业存在的自主设计制造能力薄弱、高端封装工艺受制于人、关键材料自给率不足、可靠性验证体系缺失等瓶颈问题,重庆平伟实业股份有限公司通过产学研用协同创新,攻克高可靠汽车功率器件结构设计、封装制造与可靠性验证等封装关键技术,建成国内首个自主可控的车规级功率器件全链条产业化平台,实现国产车规级产品从技术突破到批量交付的跨越式发展。
(1)发明低损耗高可靠 SGT-MOS 器件新结构,原创设计低导通损耗的铜 CLIP和低应力源极与栅一体成型的铜 CLIP 封装新结构,器件雪崩耐量(EAS)提升17.7%,可靠性明显提升。建成国内首条自主可控车规级芯片设计与制造平台,实现关键参数批次一致性突破。
(2)创新提出减小冲压进给量的低应力成型新工艺,发明的新型高导热高温焊料、环境友好型系列水基清洗剂,满足芯片低温焊接与高温服役要求,实现复杂结构高效精密清洗。建成国内首条全流程智能化车规级功率器件产线,关键指标超越国际竞品,双面散热车规级功率器件销售超 4000 万颗,市场占有率稳居国内首位。
(3)研制功率器件极端服役环境热冲击装置与温度梯度测试装置,首创板级封装定功率、定电流的功率冲击新方法,构建涵盖动态 PAT 检测与极端工况模拟的全流程可靠性验证体系,大幅提高器件可靠性测试效率与精准度。建成“制造-封测-验证”平台,器件热阻降低20%、导通电阻下降 6.6%、2000次热冲击0失效,保障车规级功率器件装车超800万台0失效的高可靠批量交付。
产品获中国汽车供应链创新成果奖、工信部可靠性提升优秀案例和中国电子信息行业质量提升典型案例等荣誉,企业入选工信部专精特新"小巨人"、重庆市 "灯塔工厂"示范单位。项目获授权发明专利 35 项、实用新型专利 16 项、发布标准2项、重庆市重大产业技术创新产品1件。2023-2025 年累计销售收入达 33.72亿元,出口创汇 8335 万美元,带动配套整车产值超1500 亿元,为重庆市集成电路产业和汽车产业2大万亿级主导产业集群配套。经鉴定组鉴定,项目整体技术达到国际先进水平,为保障我国新能源汽车产业链安全可控提供重要技术支撑。
五、主要完成单位
重庆平伟实业股份有限公司、重庆理工大学、重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
六、主要完成人
李述洲、甘贵生、徐向涛、杨林森、杨栋华、夏大权、周秀兰、张成方、闫瑞东、王航
七、主要知识产权及代表性论文专著目录
(1)发明专利:一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管,中国,ZL202411522292.5。
(2)发明专利:一种三环路片上集成的低压差线性稳压器,中国,ZL202511022052.3。
(3)发明专利:一种复杂环境用水基清洗剂及清洗方法,中国,ZL202010054303.7。
(4)发明专利:一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管,中国,ZL202411129797.5。
(5)发明专利:一种高效肖特基接触超势垒整流器,中国,ZL202310821634.2。
(6)发明专利:一种高频高压二极管及其制作方法,中国,ZL201711465730.9。
(7)发明专利,一种抑制界面IMC生长的微焊点的制备方法,中国,ZL201911093840.6。
(8)发明专利:一种弱碱性复合多功能水基清洗剂及清洗方法,中国,ZL201811550632.X。
(9)发明专利:一种超声辅助钎焊用钎焊粉及钎焊方法,中国,ZL201910189590.X。
(10)发明专利:贴片式光伏旁路模块及其封装工艺,中国,ZL202110250762.7。